半導体テストシステム

ディスクリートテストシステム

SETS-200 DCテストシステム(1.2kV/20A)

SETS200は、ダイオード、トランジスタ、MOSFETの小信号から大電流までのDC試験を高速に試験するDCテスタです。

        
【SETS200】

 
   
特徴
  • リレー動作1mSの高速動作を実現し、テスト時間を短縮
  • 最大4台のマルチテストを1台のPCで制御可能
  • 生産履歴バックアップ機能搭載
  • Excel Likeによる簡単テストプログラム編集
  • 任意波形機能
  • 1mVの微小電圧検出回路を搭載(オプション)
 
仕様
  Detection/検出  Applied voltage/印加 
High voltage/高電圧 0.0000V~1.2000kV 0.000uA~50.00mA
Small electric current/小電流  000.00pA~999.99uA 0.000V~1.200kV
Constant voltage /定電圧 00.000mV~40.000V 0.000uA~20.00A
Electric current/電流 0.0000uA~20.000A 000.0mV~40.00V


SETS-400 DCテストシステム(2kV/100A)

SETS400は、ダイオード、トランジスタ、MOSFETの大電流までのDC試験を高速に試験するDCテスタです。

【SETS400】

 
特徴
  • リレー動作3mSの高速動作を実現し、テスト時間を短縮
  • 最大4台のマルチテストを1台のPCで制御可能
  • 生産履歴バックアップ機能搭載
  • Excel Likeによる簡単テストプログラム編集
  • 過渡熱抵抗試験をオプションで対応
  • コンタクタ保護回路を搭載(オプション)
 
仕様
  Detection/検出  Applied voltage/印加 
High voltage/高電圧 00.000V~2.0000kV 0.000uA~50.00mA
Small electric current/小電流  000.00pA~999.99uA 0.000V~2.000kV
Constant voltage /定電圧 00.000mV~80.000V 0.000uA~99.99A
Electric current/電流 0.0000uA~99.999A 000.0mV~80.00V


ILT-1000 L負荷テストシステム(2000V/100A/200V)

ILT-1000は、MOS-FETのL負荷によるターンオフ時の波形を観測し、設定されたVGATE, IH, ILからなるVsusエリアの保証をGO/NO判定するテスタです。

【ILT-1000】

 
特徴
  • Vsus,IDP,TGの判定及び表示が可能
  • わずか数ms(測定条件により異なる)で測定を完了
  • わずか数ms(測定条件により異なる)で測定を完了
  • 2ステーションシーソー測定が可能
  • コイルは専用固定コイルで、外観も測定的にも最適な取付
  • TG監視により、テストプログラムで指定されたコイル以外が装着されていた場合に検出可能
 
仕様
Item/項目 Setup range/設定範囲  Resolution power/分解能 
drain electric current(ID) 0.5A~100.0A 0.1A
drain voltage(VD)  10.0V~200.0V 0.1V
gate forward voltage(VGS) 0.0V~30.0V 0.1V
gate reverse voltage(VGR) -0.0V~-30.0V 0.1V
area designated electric current (IH/IL) 0.2A~100.0A 0.1A
Vsus limit(V-GATE) 10V~2000V 1V


TRT-1000 過渡熱テストシステム(200V/50A)

TRT-1000は、MOS-FET ,トランジスタ等の過渡熱抵抗(θjc)をPNジャンクションの順電圧が温度変化に比例する特性を利用しΔVFを測定、規定値と比較し判定、分類をするテスタです。

【TRT-1000】

 
特徴
  • 測定回路上にメカニカルリレーを使用しないため回路構成時間が短い
  • フロント測定UNITをHead Box用に交換し接続する構造で、最適な回路環境での測定を実現
  • コンタクトチェックでは、測定電流を任意に設定可能、接触抵抗の測定値表示
  • 測定中各端子波形のPC表示により、波形の観測が容易
  • 自己診断機能により各Bias回路の故障を容易に発見
 
仕様
Item/項目 Measurement range/測定範囲  Resolution power/分解能 
VBE1/VSD1/VGE1/VCE1/VF1 0000mV~9999m 1mV
drain voltage(VD)  10.0V~200.0V 0.1V
ΔVBE/ΔVSD/ΔVGE/ΔVCE/ΔVF 000.0mV~999.9mV 0.1mV
ΔVBE/ΔVSD/ΔVGE/ΔVCE/ΔVF 0000mV~9999mV 1mV
Item/項目 Measurement range/測定範囲  Resolution power/分解能 
VCB/VDS 000.1V~200.0V 1mV
IE/ID/IF 10.0V~200.0V 0.1V
IM 000.0mV~999.9mV 0.1mV
Power Time (PT) 0000mV~9999mV 1mV
Delay Time (DT) 0000mV~9999mV 1mV
Gate Limit (G-Limit) 0000mV~9999mV 1mV
Lower Gate (LOW) 0000mV~9999mV 1mV
/Upper Gate (UP) 0000mV~9999mV 1mV
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